[发明专利]纯银纳米管阵列及其制备方法无效
| 申请号： | 03137253.8 | 申请日： | 2003-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1460634A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 孙家林;田广彦;刘伟;郭继华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 纯银纳米管阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银管阵列及制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气中，通过改变银离子导电薄膜RbAg4I5的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银管阵列；可以使制备的银管的长度达数微米以上，外径为百纳米量级、内径为几十纳米，且生长的方向是由直流电场方向控制的。本发明所制备的银管阵列可作为导线或器件应用于微电子学及光电子学领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纯银纳米管阵列，其特征在于：该纳米管管壁的化学成分为纯银，管内径为几十纳米，全部银管生长取向一致，构成阵列状，可由下述方法制得：(1)将银离子导电膜RbAg4I5沉积在基片上；(2)然后在基片的两端分别沉积Ag膜作为阴极和阳极，并使其分别与直流电源的负极和正极相连接；(3)在两极间施加外加直流电场，电场强度在520～900伏特/米之间。
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