[发明专利]制造氮化硅只读存储器的方法

摘要

一种制造氮化硅只读存储器的方法，是于基底上先形成氮化硅堆栈层，再定义氮化硅堆栈层，并暴露出部分基底。随后，施行一离子植入工艺，以于暴露出的基底中形成埋入式位线。接着，进行一湿式氧化法，以于埋入式位线表面形成氧化层。然后，进行一干式氧化法，以于周边电路区形成栅氧化层，再于基底上形成一图案化多晶硅化金属层覆盖氮化硅堆栈层，以作为氮化硅只读存储单元的字符线与周边电路区的栅极。

主权项

1.一种制造氮化硅只读存储器的方法，适于整合一氮化硅只读存储单元与一周边电路的工艺，其特征是，该方法包括：于一基底上形成一氮化硅堆栈层；定义该氮化硅堆栈层，以暴露出部分该基底；施行一离子植入工艺，以于定义过的该氮化硅堆栈层之间的该基底内形成一埋入式位线；施行一湿式氧化法，以于该埋入式位线表面形成一氧化层；施行一干式氧化法，以于该周边电路区形成一栅氧化层；以及于该基底上形成一图案化导体层，以作为该氮化硅只读存储单元的字符线与该周边电路区的栅极。