[发明专利]制造薄膜半导体器件的方法及其形成抗蚀图的方法

摘要

一种制造薄膜半导体器件的方法，它能够实现制造过程的简化，并在不使用多个对准标记的情况下，能够提高对准精度。通过使用具有多个区域的抗蚀剂层，形成对准构图，每个所述多个区域具有对应于多个图形中每个图形的不同的膜厚度，其中使用具有半色曝光区域作为掩模的半色掩模，并通过将光传送区域形成为孔构图，以及通过蚀刻位于下面的硅层而产生所述图形。通过使位于下面的硅层曝光，并将离子注入到整个抗蚀剂层，使只有主构图区域被掺杂了离子。

主权项

1.一种制造薄膜半导体器件的方法，包括：在基片的表面上形成位于下面的硅层的过程；使用具有半色区域的光掩模，在所述位于下面的硅层的表面上，形成多个抗蚀剂区域的过程，其中每个区域作为抗蚀图具有不同的膜厚度，而且每个区域对应于多个彼此之间互不相同的图形中的每个图形；当曝光位于下面的层时，至少一个除去所述抗蚀图中具有最小的膜厚度的抗蚀剂区域的过程；通过使用所述抗蚀图作为掩模蚀刻第一孔图形，在所述位于下面的硅层上形成对准图形的过程；以及在除去所述具有最小膜厚度且作为掩模的所述抗蚀剂区域后，使用抗蚀图形成除所述对准图形外的图形的过程。