[发明专利]双沟道积累型变容管及其制造方法有效
| 申请号： | 03137436.0 | 申请日： | 2003-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1567596A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 延涛;张国艳;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘国伟;刘芳 |
| 地址： | 10087*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双沟道积累型变容管及其制造方法，所述的方法包括：按照制作单沟变容管的方法，制作下层沟道、栅氧一、栅极、侧墙、源极、漏极，源漏注入后，沿单沟变容管的源极、侧墙、栅极和漏极上部淀积或者氧化一层栅氧二；接着在栅氧二之上再淀积一层原位掺杂的多晶硅，作为上层沟道；分别在两侧开设源极、漏极引出孔，引出孔贯通栅氧二和上层多晶硅，金属引出线从引出孔中穿出，通过它将上层沟道和下层沟道连通起来，从而形成双沟道结构的可变电容。本发明通过单栅同时控制两个沟道，在保持其品质因子与单沟变容管相当的前提下，使变容范围增大为传统单沟变容管的两倍，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 积累 型变容管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双沟道积累型变容管，包括由衬底、下层沟道、栅氧一、多晶硅栅极、侧墙、源极、漏极组成的单沟变容管，其特征在于，沿单沟变容管的源极、侧墙、栅极和漏极上部淀积或者氧化一层栅氧二，在栅氧二的上部再淀积一层多晶硅，构成上层沟道；金属引出线分别从源极和漏极引出，并穿过栅氧二和上层的多晶硅，将源极、漏极和上下沟道连通起来，从而形成双沟道结构的可变电容。
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