[发明专利]静电放电保护结构及其制程

摘要

一种静电放电保护结构，包括设置于第一导电型态基底的第一闸极以及第二闸极。复数浓第二导电型态离子掺杂区，分别设置位于第一闸极与第二闸极之间以及第一闸极与第二闸极之间未相邻的另一侧的基底。淡第二导电型态离子ESD布植区是设置于第一闸极与第二闸极之间的基底，具有一开口，使得设置于第一闸极与第二闸极之间的部分浓第二型离子掺杂区直接接触第一导电型态基底。

主权项

1.一种静电放电保护结构的制造方法，包括下列步骤：提供一第一导电型的基底，具有一第一闸极以及一第二闸极；形成一第二导电型态淡掺杂区于上述基底表面，其乃位于上述第一闸极与第二闸极之间；形成一遮蔽层于上述第一闸极与第二闸极之间部分区域的第二导电型态淡掺杂区，并露出位于上述第一闸极、第二闸极与上述遮蔽层之间未被上述遮蔽层覆盖的第二导电型态淡掺杂区；执行淡第二型离子布植制程，以于上述基底中露出之第二导电型态淡掺杂区的区域形成一淡第二导电型态离子ESD布植区；移除上述遮蔽层；形成侧壁绝缘间隔物于上述第一闸极及第二闸极的两侧；以及执行浓第二型离子布植制程，以于上述上述第一闸极与第二闸极的侧壁绝缘间隔物之间的上述基底形成一第二导电型态浓掺杂区。