[发明专利]集成电路阵列结构的制造方法有效
申请号: | 03137499.9 | 申请日: | 2003-06-25 |
公开(公告)号: | CN1469456A | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | 钟维民 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭示一种集成电路阵列结构的制造方法,其运用两道掩膜,先利用具有孔洞阵列图案的第一道掩膜,以不完全曝光剂量进行第一曝光步骤,再利用具有所需的存储码图案的第二道掩膜,以第一曝光步骤所不足的曝光剂量的补偿剂量进行第二曝光步骤,而使得所需开启的孔洞区域上的光刻胶获得足够的曝光剂量,进而可经显影而开启所需孔洞。因此,不但可获得较佳的曝光分辨率以及聚焦深度,降低光学近似效应,且所使用的掩膜的制造也相当简单。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 阵列 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路的阵列结构的制造方法,适用于将一阵列布局写入一集成电路的一只读存储器中,其中所述只读存储器至少包括多个存储单元,且所述集成电路的阵列结构的制造方法至少包括:形成一光刻胶层覆盖在所述只读存储器上;提供一第一道掩膜,其中所述第一道掩膜上至少包括多个第一种单元区域以及多个第二种单元区域;利用所述第一道掩膜,并以一部分曝光剂量,对所述光刻胶层进行一第一曝光步骤;提供一第二道掩膜,且所述第二道掩膜上至少包括所述阵列布局,其中所述阵列布局至少包括多个第一种单元区域以及多个第二种单元区域;利用所述第二道掩膜,并以一补充曝光剂量,对所述光刻胶层进行一第二曝光步骤;进行一显影步骤,以移除部分的所述光刻胶层,并暴露出部分的所述存储单元;进行一离子注入步骤,以将离子注入暴露的所述存储单元中;以及移除其余的所述光刻胶层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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