[发明专利]铁电薄/厚膜微机电致冷器的制备方法及其结构以及致冷器系统无效

专利信息
申请号: 03137669.X 申请日: 2003-06-19
公开(公告)号: CN1566863A 公开(公告)日: 2005-01-19
发明(设计)人: 李艳秋;刘少波 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: F25B21/00 分类号: F25B21/00
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种新型结构与致冷途径的铁电薄/厚膜微机电(MEMS)致冷器的制备方法以及微型致冷器系统,其中制备方法包括用作致冷片的PMN-PT和PST-PT弛豫性外延铁电薄/厚膜的制备过程,以及铁电薄/厚膜微型MEMS致冷器阵列的制备过程两个部分;还有致冷器的热绝缘结构以及铁电薄/厚膜微机电(MEMS)致冷器系统,在该系统中,当待致冷器件温度升高时,红外辐射增强,经光调制器斩波后由精度达±0.01℃的热释电红外传感器探测到物体温度变化信号,并转化为微弱电信号,再经信号处理电路放大和数字处理后,通过驱动电源控制电路来控制铁电薄/厚膜致冷片的致冷量,信号再反馈回到待致冷器件使其工作于最佳温度范围。这种微型冷却系统广泛应用于MEMS器件与系统大规模集成电路芯片的局部致冷,能够达到高致冷效率和热传导效率,同时具有低成本、微型化、低功耗和高集成度等优点。
搜索关键词: 铁电薄 微机 致冷 制备 方法 及其 结构 以及 系统
【主权项】:
1、一种铁电薄/厚膜微机电致冷器的制备方法,其特征在于包括用作致冷片的PMN-PT和PST-PT弛豫性外延铁电薄/厚膜的制备过程,以及铁电薄/厚膜微型微机电(MEMS)致冷器阵列的制备过程两个部分,其中:该弛豫性外延铁电薄/厚膜的制备过程又分为两个程序,一个是采用射频磁控溅射技术制备厚度为0.4~1μm的外延铁电薄膜,另一个是采用粉末Sol-Gel技术制备厚度为2~50μm的0-3型外延铁电厚膜;
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