[发明专利]在硅基板中插塞通孔的方法有效
| 申请号： | 03137675.4 | 申请日： | 2003-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1467819A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 真筱直宽 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅基板中插塞通孔的方法。借助电解电镀用金属11插塞硅基板1中的通孔2。抛光和平坦化硅基板的两面之后，在硅基板上进行高压退火以除去在插塞金属中产生的小空隙，因此，增强了插塞金属的精度和密度。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板中插塞通孔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅基板中插塞通孔的方法，包括以下步骤：提供具有第一和第二表面的硅基板，通孔从第一表面穿透到第二表面；在包括通孔内壁表面的硅基板的第一和第二表面上形成绝缘膜；通过粘合剂将导体面粘结到硅基板的第二表面；从硅基板的第一表面处借助通孔蚀刻粘结剂将粘结剂钻孔，以便在通孔的内部露出导体面；使用导体面作为来自硅基板第一表面的电极，通过镀覆金属用金属填充通孔；剥离掉导体面并平坦化包括填充金属的硅基板的第一和第二表面；以及对硅基板进行高压退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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