[发明专利]薄层基板制造方法、薄层基板移载装置以及薄层基板移载用吸附垫有效
| 申请号： | 03137807.2 | 申请日： | 2003-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1495887A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 田中秀树;安宾桢;萧厚彦 | 申请（专利权）人： | 爱斯佩克株式会社;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/70;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄层基板移载用吸附垫，是用于吸附玻璃基板的吸附垫(71)，由具有圆环状的侧壁部(711)的有底桶状体构成，在底部(712)的中央形成有吸引孔(713)，侧壁部(711)的前端形成为前方收窄的锥状。侧壁部(711)由吸引孔侧的小直径的基部侧壁(714)、前端侧的大直径的前端侧壁(715)、以及连接基部侧壁和前端侧壁的连结部(716)而构成。前端侧壁(715)的前端端面(715a)的径向尺寸为0.2mm。由此可以抑制托垫的冷热(相对而言温度较低)传递到玻璃基板的热量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄层 制造 方法 基板移载 装置 以及 基板移载用 吸附 | ||
【主权项】：
1.一种薄层基板移载用吸附垫，用于吸附薄层基板，其特征在于：由具有环形侧壁的有底桶状体构成，该桶状体在底部的局部形成有吸引孔，所述侧壁部的前端形成为前方收窄的锥状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
