[发明专利]制备具有可逆电阻改变性质的LCPMO薄膜无效
| 申请号： | 03137818.8 | 申请日： | 2003-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1461043A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 庄维佛;许胜籐;潘威;田尻雅之 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L43/12;C30B33/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种钙钛矿薄膜的形成方法，其包括：制备钙钛矿前体溶液；制备用于沉积钙钛矿薄膜的硅基材，其包括在所述基材上形成底部电极；在旋转涂布仪器上固定所述基材并且以预定的旋转速度旋转所述基材；将钙钛矿前体溶液注入所述旋转涂布仪器中，从而用该钙钛矿前体溶液涂布所述基材以形成涂覆基材；在从约90℃到300℃递增的温度下烘烤所述的涂覆基材；和在约500℃－800℃的温度将所述的涂覆基材退火约5－15分钟。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 具有 可逆 电阻 改变 性质 lcpmo 薄膜 | ||
【主权项】：
1、一种钙钛矿薄膜的形成方法，其包括：制备钙钛矿前体溶液；制备用于沉积钙钛矿薄膜的硅基材，其包括在所述基材上形成底部电极；在旋转涂布仪器上固定所述基材并且以预定的旋转速度旋转所述基材；将钙钛矿前体溶液注入所述旋转涂布仪器中，从而用该钙钛矿前体溶液涂布所述基材以形成涂覆基材；在从90℃到300℃递增的温度下烘烤所述的涂覆基材；和在500℃-800℃的温度将所述的涂覆基材退火5-15分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
