[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 03137981.8 | 申请日： | 2003-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1553517A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张世昌;方俊雄;邓德华;蔡耀铭 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的有效层包含有一信道区域、一间隔区域以及一掺杂区域，其中该间隔区域是位于该信道区域的外围区域，且该掺杂区域是位于该间隔区域的外围区域。一闸极绝缘层是形成于该有效层之上，包含至少有一中央区域以及一遮蔽区域，该中央区域是覆盖该信道区域，该遮蔽区域是覆盖该间隔区域。一闸极层是覆盖该闸极绝缘层的中央区域且暴露该遮蔽区域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管包括：一基底；一有效层，是形成于该基底之上，包含有一信道区域、一间隔区域以及一掺杂区域，其中该间隔区域是位于该信道区域的外围区域，且该掺杂区域是位于该间隔区域的外围区域；一闸极绝缘层，是形成于该有效层之上，包含至少有一中央区域以及一遮蔽区域，其中该中央区域是覆盖该信道区域，该遮蔽区域是位于该中央区域的外围且覆盖该间隔区域；以及一闸极层，是形成于该闸极绝缘层之上，其中该闸极层是覆盖该中央区域且暴露该遮蔽区域。
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