[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 03138122.7 申请日: 2003-05-27
公开(公告)号: CN1463037A 公开(公告)日: 2003-12-24
发明(设计)人: 下石坂望;戒能宪幸;中村嘉文;三木启司;渡濑和美;佐原隆一 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L23/52;H01L23/48;H01L21/28;H01L21/768
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 暂无信息 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明是在半导体晶片的绝缘性树脂膜上设置了感应元件的WL-CSP型半导体装置中,介于感应元件的绝缘性树脂膜降低泄漏损失。其解决方法是采用具有覆盖半导体晶片(11)的主面的同时,在各缓冲电极(21)上设置了具有复数个接触孔(13)的第1绝缘性树脂膜(12);该绝缘性树脂膜(12)中形成在感应元件形成区域12a上的,其两端子介于接触孔(13)的各自与缓冲电极(21)连接的感应元件(17)。第1绝缘性树脂膜(12)上的感应元件形成区域(12a)的膜厚,制成大于接触孔(13)的形成部分的膜厚。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:具有形成在主面上的集成电路部分,以及在形成上述主面上且和上述晶片电连接的复数个焊垫电极21的半导体芯片;形成在半导体芯片主面上的,具有覆盖上述集成电路部分的同时在焊垫电极上部设置了复数个接触孔的由绝缘性树脂层制成的第1绝缘膜;形成在上述第1绝缘膜中的感应元件形成区域上的,其两端介于上述接触孔各自与上述焊垫电极连接的感应元件,其特征为:使上述第1绝缘膜中上述感应元件形成区域的厚度大于上述接触孔周边区域的厚度。
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