[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03138135.9 | 申请日： | 2003-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1463045A | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 田中正幸;小泽良夫;斋田繁彦;合田晃;野口充宏;三谷祐一郎;纲岛祥隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L21/31;H01L21/283;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 采用改善硅氮化膜的构成或形成方法的办法，提供特性等优良的半导体器件。该半导体器件具备：半导体衬底101；栅极电极104、105、106；在半导体衬底和栅极电极间形成的第1绝缘膜103；包括沿着栅极电极的上表面或侧面形成的包括氮、硅和氢的下层一侧硅氮化膜107，和在下层一侧硅氮化膜上边形成的含有氮、硅和氢的上层一侧硅氮化膜108的第2绝缘膜，其特征在于：上述下层一侧的硅氮化膜中的氮(N)和硅(Si)之间的组成比N/Si，比在上述上层一侧的硅氮化膜中的氮(N)和硅(Si)之间的组成比N/Si更高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具备：半导体衬底；栅极电极；在上述半导体衬底和上述栅极电极之间形成的第1绝缘膜；包括沿着上述栅极电极的上表面或侧面形成的含有氮、硅和氢的下层一侧硅氮化膜，和在下层一侧硅氮化膜上边形成的含有氮、硅和氢的上层一侧硅氮化膜的第2绝缘膜，上述下层一侧硅氮化膜中氮(N)和硅(Si)的组成比N/Si比上述上层一侧硅氮化膜中氮(N)和硅(Si)的组成比N/Si高。
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