[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 03138174.X 申请日: 2003-05-30
公开(公告)号: CN1463043A 公开(公告)日: 2003-12-24
发明(设计)人: 藤沢哲也;松木浩久;井川治;爱场喜孝;生云雅光;佐藤光孝 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L25/16;H01L25/18;H01L23/28;H01L23/48;H01L23/12;H01L23/538
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李德山
地址: 暂无信息 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中,当半导体芯片并列地排列时,多个半导体芯片的每一个的电路形成面可以容易地置于齐平的平面上,由此简化了形成重排布线的工艺。半导体芯片借助粘结剂层以两维布局安装在基板上。树脂层形成在基板上并位于半导体元件周围,树脂层的厚度基本上与半导体元件的厚度相同。有机绝缘层形成在树脂层表面以及半导体元件的电路形成面上。重排布线层形成在有机绝缘层以及半导体芯片的电极上。外部连接端子通过重排布线层中的布线电连接到半导体元件的电路形成面。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,具有借助粘结剂层以两维布局安装在基板上的多个半导体元件,特征在于:形成在所述基板上并位于半导体元件周围的树脂层,树脂层的厚度与半导体元件厚度基本相同;形成在树脂层表面以及半导体元件的电路形成面上的有机绝缘层;形成在有机绝缘层以及所述半导体芯片的电极上的重排布线层;以及通过重排层中的布线电连接到所述半导体元件的电路形成面的外部连接端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03138174.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top