[发明专利]布线结构的形成方法

摘要

本发明提供一种在半导体装置等的电子器件中的布线结构的形成方法。在FSG膜(105)等的绝缘膜上形成凹部(106)和布线槽(107)后在FSG膜(105)上使凹部(106)等埋入地沉积Cu膜。对于该Cu膜进行第1热处理并形成Cu膜(111)后，除去Cu膜(111)中凹部(106)等外侧部分。之后对于残存的Cu膜(111)以其表面露出的状态进行第2热处理。根据本发明，由于可以实现没有空洞或表面裂痕的布线结构，所以可以以高的成品率制造可靠性高的半导体装置的电子器件。

主权项

1.一种布线结构的形成方法，其特征在于，包括：在绝缘膜上形成凹部的工序；在所述绝缘膜上使所述凹部埋入地沉积导电膜的工序；对于所述导电膜进行第1热处理的工序；在进行所述第1热处理后除去所述凹部外侧的所述导电膜的工序；在除去所述凹部外侧的所述导电膜后，对于残存的所述导电膜以其表面露出的状态进行第2热处理的工序。