[发明专利]薄膜晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 03138243.6 | 申请日： | 2003-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1553488A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 邓德华;蔡耀铭;张世昌 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管结构及其制造方法，该薄膜晶体管结构包含一衬底、多个栅极结构、以及一绝缘层，而该制造方法包含下列步骤：在该衬底的上方形成该绝缘层；在该绝缘层上方形成该等栅极结构；在该等栅极结构上方形成一掩模；利用该掩模对该绝缘层进行蚀刻，使得该等栅极结构下方的绝缘层厚度大于其它区域的绝缘层厚度；以及移除该掩模后利用具有不同厚度的该绝缘层和该等栅极结构来对该衬底进行一杂质注入工艺，从而能在该衬底上同时定义出多个沟道区域、轻掺杂区域以及重掺杂的源/漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管结构的制造方法，其包含下列步骤：提供一衬底；在该衬底上方形成多个多晶硅结构；在该等多晶硅结构上方形成一绝缘层；在该绝缘层上方形成多个栅极结构；在该等栅极结构上方形成一掩模；利用该掩模对该绝缘层进行蚀刻，使得该等栅极结构下方及其间的绝缘层厚度大于其它区域的绝缘层厚度；以及移除该掩模后，利用具有不同厚度的该绝缘层和该等栅极结构来对该衬底进行一杂质注入工艺，从而能在该衬底上同时定义出多个沟道区域、至少一轻掺杂区域以及至少一重掺杂的源/漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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