[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 03138344.0 | 申请日： | 2003-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1467747A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 折笠宪一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电路面积较小的、可以提高存储单元的数据保持特性的半导体存储器件。在字线电压发生器中，将比提供给存储单元的第1电源电压Vdd还高的第2电源电压Vdd3施加给第1运算放大器电路及参考电压发生电路，参考电压发生电路产生的电压比与第1电源电压Vdd成比例的电压还高出因对P沟道晶体管进行二极管连接而产生的发生电压，作为第1参考电压Vref，第1运算放大器电路输出与第1参考电压Vref相等的电压，作为字线驱动电压Vwl。因此，不需要充电泵电路等就能减少存储单元截止时的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其特征在于，具备：多个动态随机存取存储器，具有漏极与位线连接、栅极分别与多个字线连接、源极与电容连接的存取晶体管；多个字线驱动电路，分别与上述多个字线连接；及字线电压发生器，与上述多个字线驱动电路连接；从外部供给的第1电源供给驱动上述位线的读出放大器，上述字线电压发生器接受上述第1电源以及从外部提供的第2电源的电压，并产生如下电压作为字线驱动电压提供给上述多个字线驱动电路，该电压比上述第1电源电压更接近上述第2电源电压、且与上述第1电源电压的差和与上述第2电源电压的差之间相差一个预定电压。
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