[发明专利]降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的方法有效

专利信息
申请号: 03138695.4 申请日: 2003-06-03
公开(公告)号: CN1553485A 公开(公告)日: 2004-12-08
发明(设计)人: 刘婉懿;陈政顺 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;H01L21/324;H01L21/316;H01L21/336
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的制造方法。首先,形成一金属钴层于一硅衬底上。再进行两次退火处理。第一次退火处理是先将金属钴层转变成一硅化钴(CoSi)层。然后,形成一覆盖层于硅化钴层上方,厚度约在1000至3000,以抑制硅化钴晶粒在后续高温工艺中再生长。接着,再进行第二次退火处理,将硅化钴层转变成二硅化钴(CoSi2)层。
搜索关键词: 降低 半导体 组件 中二硅化钴层 阻值 方法
【主权项】:
1.一种降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的制造方法,包括步骤如下:提供一硅衬底;形成一金属钴层于该硅衬底上;藉由一第一次退火处理,形成一硅化钴(CoSi)层于该硅衬底与该金属钴层的交界处,其中,一未反应的金属钴层残留于该硅化钴层上方;以选择性蚀刻方式移除该未反应的金属钴层;形成一覆盖层于该硅化钴层上方;以及藉由一第二次退火处理,将该硅化钴层转变成一层二硅化钴(CoSi2)层。
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