[发明专利]一种可提高发光亮度及色纯度的被动波导发光二极管无效
申请号: | 03138711.X | 申请日: | 2003-06-23 |
公开(公告)号: | CN1567601A | 公开(公告)日: | 2005-01-19 |
发明(设计)人: | 何晓光 | 申请(专利权)人: | 厦门三安电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所 | 代理人: | 徐东峰 |
地址: | 361009福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种可提高发光亮度及色纯度的被动波导发光二极管,其特征在 于包含有:一个具有第一导电性的半导体基板;一个形成于该基板上的第一导电性载流子注入限制层;若干个具有高折射率的被动光波导层,此光波导层必须对辐射光吸收很小;一个活化层,此活化层可以是多量子阱结构或双异质结构;一个第二种导电类型的导电性载流体注入限制层;经过对活化层和被动波导层间距的优化,相当大的光场能够被集中到被动波导层中,从而减少了活化层对辐射光的再吸收,使得侧向光场与正向光场具有相近的光谱分布特性,达到提高发光效率及色纯度的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 发光 亮度 纯度 被动 波导 发光二极管 | ||
【主权项】:
1、一种可提高发光亮度及色纯度的被动波导发光二极管,其特征在于包含有:一个具有第一导电性的半导体基板;一个形成于该基板上的第一导电性载流子注入限制层;若干个具有高折射率的被动光波导层,此光波导层必须对辐射光吸收很小;一个活化层,此活化层可以是多量子阱结构或双异质结构;一个第二种导电类型的导电性载流体注入限制层。
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