[发明专利]一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 03138736.5 | 申请日： | 2003-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1567602A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 何晓光 | 申请（专利权）人： | 厦门三安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供具有二个或二个以上在同一侧电极的氮化镓光电子或电子器件，其上用电镀、溅射或蒸发形成一厚度为0.5um－3um的金属材料层；在低于金属溶合温度情况下，通过加压、或加压和加热，将氮化镓光电子或电子器件的外延侧，键合到一个导热性好的基底上。本发明利用氮化镓基器件硬度远大于其它半导体材料的特点，采用加压为主的方法，在无金属融解的情况下，实现氮化镓光电子或电子器件与导热基底的粘合，粘合时无液体存在，不会存在虹吸现象，避免了多电极键合由于虹吸现象造成的短路现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 氮化 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法，其步骤是提供具有二个或二个以上在同一侧电极的氮化镓光电子或电子器件，其上用电镀、溅射或蒸发形成一厚度为0.5um--3um的金属材料层；在低于金属溶合温度情况下，通过加压、或加压和加热，将氮化镓光电子或电子器件的外延侧，键合到一个导热性好的基底上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门三安电子有限公司，未经厦门三安电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03138736.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
