[发明专利]一种表面增透发光二极管有效
申请号: | 03138956.2 | 申请日: | 2003-08-01 |
公开(公告)号: | CN1581518A | 公开(公告)日: | 2005-02-16 |
发明(设计)人: | 何晓光;黄尊祥 | 申请(专利权)人: | 厦门三安电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所 | 代理人: | 徐东峰 |
地址: | 361009福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种表面增透发光二极管,其特征是在常规结构的窗口层上有一层或多层在外延过程中生长的表面增透层,经过化学腐蚀及氧化后形成一层或多层二氧化三铝表面增透薄膜;在表面增透层的上方可有保护层,表面增透层可为铝镓砷层或砷化铝层,保护层可为砷化镓层或镓铟磷层,采用金属有机源化学气象沉积(MOCVD)方法在发光二极管外延生长时一次性完成增透膜结构的生长;这样形成的有表面增透薄膜的发光二极管,其光的反射率更小,增透效果更显著。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 发光二极管 | ||
【主权项】:
1一种表面增透发光二极管,其特征在于:是在常规结构的窗口层上有一层或多层在外延过程中生长的表面增透层,经过化学腐蚀及氧化后形成一层或多层二氧化三铝表面增透薄膜。
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