[发明专利]亚纳米复合法制备氧化锌基磁性半导体材料的方法无效
| 申请号： | 03139039.0 | 申请日： | 2003-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1523641A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 梅良模;颜世申;陈延学;任妙娟;季刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01F1/40 |
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 250100*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 亚纳米复合法制备ZnO基磁性半导体薄膜材料的方法，属于电子材料技术领域。利用磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积或者激光分子束外延方法在衬底上将亚纳米厚度的过渡金属和ZnO宽禁带半导体层交替沉积，在原子尺度进行复合形成磁性半导体，过渡金属选自Co、Fe、Ni、Mn金属或者其合金。和其他方法相比，本发明方法制备的磁性半导体是在低温非平衡条件下生长，过渡金属的掺杂量不受固溶度限制，可以制得性能稳定、重复性好的磁性半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 复合 法制 氧化锌 磁性 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
1.亚纳米复合法制备ZnO基半导体材料的方法，其特征在于，用磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积或者激光分子束外延方法在衬底上将亚纳米厚度的过渡金属和ZnO宽禁带半导体交替沉积，在原子尺度进行复合形成磁性半导体，其中过渡金属选自Co、Fe、Ni、Mn金属或其合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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