[发明专利]用于半导体处理系统的注气装置无效
| 申请号： | 03139091.9 | 申请日： | 2003-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1501435A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 金泰完;尤里·N·托尔马切夫;马东俊;瑟吉·Y·纳瓦拉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青;陈小雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括：注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至各个喷嘴。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过各个喷嘴供入反应腔室的气体流量均匀。这种构造使得通过各个喷嘴供送至反应腔室的反应气体的流量均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 处理 系统 装置 | ||
【主权项】：
1、一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内，该注气装置包括：注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿入其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至所述多个喷嘴的每个中；其中，所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使连接进气口和所述多个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过所述多个喷嘴的每个供入反应腔室的气体流量均匀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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