[发明专利]一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法无效
| 申请号： | 03139103.6 | 申请日： | 2003-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1581519A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 黄尊祥;黄光辉;何晓光 | 申请（专利权）人： | 厦门三安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 高巍 |
| 地址： | 361009福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓系III－V族化合物发光二极管的制造方法，其特征是：N型欧姆接触电极、金属阻挡层和N型焊盘一步形成，且在制作N型电极焊盘时，可同时形成P型焊盘。本发明减少蒸发、光刻及热处理的次数，大大简化了工艺，提高成品率，降低了成本，并能提高焊盘质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 化合物 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓系III-V族化合物发光二极管的制造方法，其特征在于：N型欧姆接触电极、金属阻挡层及N型焊盘一步形成。N型欧姆接触电极材料包含钛、铝中的至少一种金属。N型欧姆接触电极是由钛、镍、铝构成的金属材料形成的。金属阻挡层材料包含钛、镍、铂中的至少一种金属。N型焊盘是用金形成的。
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