[发明专利]集成电路封装基板的实心导电过孔成形方法有效
| 申请号： | 03139675.5 | 申请日： | 2003-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1567551A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 尤宁圻;朱惠贤;陈金富 | 申请（专利权）人： | 美龙翔微电子科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H05K3/42 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王锁林 |
| 地址： | 518036广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路封装基板的实心导电过孔成形方法，包括：a.在封装基板需要连接导通的两层线路面之一上贴附薄膜，在薄膜上对应实心铜导电过孔位置形成要求的导电过孔的孔形；b.通过电镀工艺在薄膜的导电过孔的孔形内形成实心铜柱，去除薄膜；c.涂敷绝缘介质，并通过磨板或图形转移工艺使实心铜柱端面暴露；d.在铜柱端面和绝缘介质面上沉积金属薄层，并通过图形电镀工艺在金属薄层上形成所需线路面；e.在新成形的线路面上重复上述步骤a－d的操作，完成多层绝缘层上相邻线路层图形之间的实心导电过孔连接。其通过简单、方便工艺实现实心导电过孔，进而实现基板不同线路层间电信号的连通，保证信号传输的完整性，并满足高可靠性要求。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 实心 导电 成形 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路封装基板的实心导电过孔成形方法，其特征是包括如下步骤：a在集成电路封装基板需要导通连接的绝缘介质层上下两层导电线路面之一上，贴附薄膜，在薄膜上对应实心铜导电过孔位置形成要求的导电过孔的孔形；b、通过电镀工艺在薄膜的导电过孔的孔形内形成实心铜柱，去除薄膜；c、在形成铜柱后的导电线路面上涂敷绝缘介质，并使所述的实心铜柱端面暴露；d、在暴露的实心铜柱端面和绝缘介质面上沉积金属薄层，并通过图形电镀工艺或整板电镀加图形蚀刻工艺在金属薄层上形成所需线路面；e、在新成形的线路面上重复上述步骤a-d的操作，完成多层绝缘层上相邻线路层图形之间的实心导电过孔连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美龙翔微电子科技（深圳）有限公司，未经美龙翔微电子科技（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03139675.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型促肝细胞生长因子、制备方法及其用途
- 下一篇：波表音乐合成系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
