[发明专利]大面积钨、钼及其氧化物纳米线与阵列以及其制备与应用有效
| 申请号： | 03140333.6 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1492076A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;周军;邓少芝;陈军;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00 |
| 代理公司： | 广州市新诺专利事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积钨、钼及其氧化物的纳米线及其阵列。本发明还公开了钨、钼单质及其氧化物的纳米线及其阵列的制备方法及应用。本发明的制备方法简单、直接，对设备要求不高，成本低廉。同时本发明制备的大面积钨、钼及其氧化物的纳米线具有优异的场致电子发射性能，作为冷阴极电子源会有很大的应用前景，尤其是在场致电子发射平板显示器、冷阴极发光管、冷光源等。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 及其 氧化物 纳米 阵列 制备 应用 | ||
【主权项】：
1、一种大面积钨、钼及其氧化物纳米线与阵列，其特征在于：钨、钼及其氧化物的纳米线及其阵列生长在大面积的衬底上。
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