[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的课题是提供通过在不对硅衬底表面造成损伤和污染的情况下有选择地形成氮化硅膜而在同一硅衬底内形成种类不同的多个栅绝缘膜而构成的半导体器件及其制造方法。在硅衬底的表面上形成氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮。除此以外，利用化学气相淀积法在硅衬底的表面上淀积氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮，接着溶解并除去导入了氮的氧化硅膜以使衬底表面露出，对已露出的硅衬底的表面和上述氮化硅膜进行氧化。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有下述工序：通过在硅半导体衬底的表面上有选择地形成元件隔离用的场绝缘层来形成互相隔离的第1半导体区域和第2半导体区域的工序；在该第1半导体区域和该第2半导体区域的表面上形成氧化硅膜的工序；为了使该第2半导体区域的表面露出而除去在该第2半导体区域的表面上形成的氧化硅膜的工序；通过对该第1半导体区域的氧化硅膜和已露出的该第2半导体区域的表面进行氮化在该第1半导体区域上形成含有氮的氧化硅膜且在该第2半导体区域上形成氮化硅膜的工序；以及分别将该含有氮的氧化硅膜和该氮化硅膜作为栅绝缘膜使用而分别在该第1半导体区域和该第2半导体区域上形成MOS器件的工序。