[发明专利]交错相移掩模的制造方法无效
| 申请号： | 03140723.4 | 申请日： | 2003-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1469431A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 姜明亚;申仁均 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00;G03F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 可以在短时间内进行交错相移掩模的制造方法。使用多步腐蚀工艺形成180°相移区，然后形成0°相位区。以此顺序形成相移区减少了在方法中要进行的光刻的轮数。 | ||
| 搜索关键词： | 交错 相移 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有0°相移区和180°相移区的交错相移掩模的制造方法，方法包括：在基本上透过曝光光线的基板上形成基本上不能透过曝光光线的阻挡层；腐蚀一部分阻挡层和下部的基板以在基板中形成沟槽，沟槽具有当曝光光线在沟槽处穿过基板时相移180°的深度，由此在沟槽形成180°相移区的掩模；以及随后腐蚀阻挡层的另一部分，直到露出基板的另一部分，由此在基板的所述另一露出部分形成0°相移区的掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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