[发明专利]缩小导体图案的间距的方法及使用此方法形成的结构有效

专利信息
申请号: 03140749.8 申请日: 2003-06-11
公开(公告)号: CN1471134A 公开(公告)日: 2004-01-28
发明(设计)人: 赖俊仁 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/768;H01L21/3213;G03F7/00
代理公司: 北京中原华和专利代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是关于一种缩小导体图案的间距的方法及使用此方法形成的结构,其方法包括形成一结构,其包括一基底、在基底上的一导体层、配置在导体层上的数个光阻图案、在每一光阻图案的顶面与侧壁上的一聚合层以及在聚合层与光阻图案上的一材质层。之后,去除材质层之上部分,以暴露光阻图案与聚合层的上表面,且保留材质层的一剩余部分。接着,去除聚合层,再使用光阻图案与材质层的剩余部分作为蚀刻罩幕,以图案化导体层,藉以形成导体图案。然后去除光阻图案与材质层的剩余部分。
搜索关键词: 缩小 导体 图案 间距 方法 使用 形成 结构
【主权项】:
1、一种缩小导体图案的间距的方法,其特征在于其包括:提供一结构,该结构包括一基底、在该基底上的一导体层、配置在该导体层上的复数个光阻图案、在每一光阻图案的侧壁上的一聚合层以及在该聚合层与该些光阻图案上的一材质层;暴露该些光阻图案的上表面,以保留该材质层的一剩余部分;去除该聚合层;使用该光阻图案与该材质层的该剩余部分作为蚀刻罩幕,以图案化该导体层,藉以形成复数个导体图案;以及去除该些光阻图案与该材质层的该剩余部分。
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