[发明专利]半导体衬底晶体材料生长真空系统无效
| 申请号： | 03140794.3 | 申请日： | 2003-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1461049A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李明远;陈迎春;陈锦来;李欣洋 | 申请（专利权）人： | 李明远 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;C23C14/24;C23C14/56 |
| 代理公司： | 深圳市创友专利代理有限公司 | 代理人： | 彭家恩 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种适用于半导体衬底晶体材料生长的真空系统，包括晶体生长真空室和高真空系统，所述高真空系统包括用于抽真空的直联旋叶式机械泵、钛离子泵和冷却阱，直联旋叶式机械泵经预真空阀门、真空管道接钛离子泵，钛离子泵经冷却阱、阀门、高真空管道、高真空阀接晶体生长真空室。本发明为半导体衬底晶体材料生长提供一个优质洁净的超高真空环境，真空室内极限真空度可达3×10－8Pa。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 晶体 材料 生长 真空 系统 | ||
【主权项】：
1、一种适用于半导体衬底晶体材料生长的真空系统，包括晶体生长真空室和高真空系统，其特征在于：所述高真空系统包括用于抽真空的直联旋叶式机械泵、钛离子泵和冷却阱，直联旋叶式机械泵经预真空阀门、真空管道接钛离子泵，钛离子泵经冷却阱、阀门、高真空管道、高真空阀接晶体生长真空室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
