[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 03141049.9 | 申请日: | 2003-06-17 |
公开(公告)号: | CN1469464A | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | 松尾美惠 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/52 | 分类号: | H01L23/52;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/28 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体器件,包括:衬底;在所述衬底上形成预定图形的布线,并提供有用于外部连接的焊盘部分;形成在所述衬底上以覆盖所述布线的层间绝缘膜,并提供有接触所述布线的焊盘部分的接触孔;以及形成在所述层间绝缘膜上的帽盖层,借助形成在所述层间绝缘膜中的接触孔与所述布线的所述焊盘部分电连接;其中所述帽盖层的一个端部设置在所述接触孔,所述帽盖层由所述接触孔在与所述布线图形不同的方向中延伸。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:衬底;在所述衬底上形成预定图形的布线,并提供有用于外部连接的焊盘部分;形成在所述衬底上以覆盖所述布线的层间绝缘膜,并提供有接触所述布线的焊盘部分的接触孔;以及形成在所述层间绝缘膜上的帽盖层,借助形成在所述层间绝缘膜中的接触孔与所述布线的所述焊盘部分电连接;其中所述布线和所述帽盖层由所述接触孔彼此相反地延伸。
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