[发明专利]低消耗电流半导体存储装置无效
| 申请号： | 03141065.0 | 申请日： | 2003-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1477639A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 大石司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在电阻值可变型存储器中，根据动作模式改变与存储单元阵列对应的数字线驱动电路、字线驱动电路及位线驱动电路的电源电压和/或衬底偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 低消耗 电流 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，备有各自根据存储数据决定内部状态并通过保持该内部状态而存储数据的多个存储单元、当选择存储单元时至少根据地址信号驱动选择存储单元连接的信号线的信号线驱动电路、及与上述信号线驱动电路的电源节点连接并向上述信号线驱动电路供给电源电压的电源电路，上述电源电路，根据动作模式改变上述电源节点的施加电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03141065.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
