[发明专利]具有III/VI族发射极的晶体管无效
| 申请号： | 03141085.5 | 申请日： | 2003-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1479381A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | H·廖;B·－S·B·叶 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/12;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 晶体管(30)包括基极(32)、集电极(42)和包含III/VI族半导体的发射极(36)。提供了至少有一个金属－氧化物半导体(MOS)晶体管(80B)和上述晶体管(30，80A)的微型电路(图6)。还提供了制造晶体管(30)和BiMOS微型电路(图6)的工艺步骤(图5－7)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 iii vi 发射极 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管(30)，包含：基极(32)；集电极(42)；以及包含III/VI族半导体的发射极(36)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普开发有限公司，未经惠普开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03141085.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
