[发明专利]半导体集成电路及其制造方法

摘要

一种具有平板电容器的半导体集成电路装置可以使用多个源电压。根据该半导体集成电路装置，不但可以控制各个MOS晶体管的阈值，而且还可以减小该平板电容器的阈值电压而没有任何附加的制造处理。该半导体集成电路装置包括在第一n型元件区中的p沟道存储晶体管和电容器、在第二p型元件区中的n沟道低压MOS晶体管以及在第二p型元件区中的n沟道低压MOS晶体管。通过使用p型杂质元素根据高密度剖面分布对第二MOS晶体管的沟道区进行掺杂。与此同时，根据基本上相同的剖面分布把p型杂质元素导入到第一元件区的电容器区中。

主权项

1.一种半导体集成电路装置，其中包括：基片；形成在该基片上的第一元件区，该第一元件区具有第一导电型；形成在该基片上的第二元件区，该第二元件区具有第二导电型；形成在该基片上的第三元件区，该第三元件区具有第二导电型；形成在第一元件区的晶体管区上的第一MOS晶体管，该第一MOS晶体管具有第二导电型沟道；形成在第一元件区的电容器区中的电容器；形成在第二元件区上的第二MOS晶体管，该第二MOS晶体管具有第一膜厚的第一栅极绝缘膜以及第一导电型沟道；以及形成在第三元件区上第三MOS晶体管，该第三MOS晶体管具有比第一膜厚更大的第二膜厚的第二栅绝缘膜以及第一导电型沟道，其中第三MOS晶体管具有通过使用第二导电型杂质元素按照第一剖面分布进行沟道掺杂的一个沟道区，该第二MOS晶体管具有通过使用第二导电型杂质元素按照作为一个较高密度剖面分布的第二剖面分布进行沟道掺杂的沟道区，并且按照基本上等于第三MOS晶体管的沟道掺杂减去第二MOS晶体管的沟道掺杂所获得的剖面分布把第二导电型杂质元素导入在第一元件区中的电容器区中，以形成作为电容器的下电极的一个扩散区。