[发明专利]X射线光刻与光学光刻混合制作T型栅的方法无效
| 申请号： | 03141108.8 | 申请日： | 2003-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1567087A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 谢常青;叶甜春;陈大鹏;李兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 10002*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种X射线光刻与光学光刻混合制作T型栅的方法，其工艺步骤如下：1.在半导体基片上涂上底层X射线光刻胶；2.X射线光刻方法曝光底层X射线光刻胶；3.涂上顶层光学光刻胶；4.光学光刻方法曝光顶层光学光刻胶；5.显影顶层光学光刻胶获得宽栅图形；6.显影底层X射线光刻胶获得栅槽图形；7.蒸发、剥离栅金属，完成T型栅制作。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 光刻 光学 混合 制作 方法 | ||
【主权项】：
1、一种X射线光刻与光学光刻混合制作T型栅的方法，其特征在于，其包括如下步骤：步骤1、在半导体基片上涂上底层厚度小于300nm的薄X射线光刻胶；步骤2、用X射线光刻方法曝光底层X射线光刻胶，决定T型栅图形的最终栅长；步骤3、涂上顶层光学光刻胶；步骤4、用光学光刻方法曝光顶层光学光刻胶，决定T型栅图形的顶层尺寸；步骤5、显影顺序的第一步是首先显影顶层光学光刻胶获得宽栅图形；步骤6、显影顺序的最后一步是显影底层X射线光刻胶获得栅槽图形，形成最终的T型栅图形；步骤7、蒸发、剥离栅金属，完成T型栅制作。
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