[发明专利]半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 03141116.9 | 申请日： | 2003-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1467795A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 上田多加志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供半导体衬底的制造方法，在上面容易的形成高质量的有应变的硅通道，而不牺牲薄片的处理效率，并提供半导体器件的制造方法，其中除了改善NMOS晶体管的驱动特性外，也改善了PMOS晶体管的驱动特性。本发明提供半导体衬底的制造方法的步骤为：在有(111)或(110)晶面方向的硅单晶层的衬底上表面形成SiGe膜；进行离子注入和退火处理，埋藏晶体缺陷引入到上面描述的衬底中；在上面描述的SiGe膜上形成半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底制造方法，包括步骤：在衬底上形成SiGe膜，衬底表面由(111)或(110)晶面方向的硅单晶层制成。由于执行离子注入和退火处理，在上面描述的衬底中引入埋藏的晶体缺陷，在SiGe膜上形成半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
