[发明专利]利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 03141245.9 | 申请日： | 2003-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1553474A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 林昆志 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法。该方法包括下列步骤：首先提供一衬底，且该衬底表面已定义有一第一区域及一第二区域，接着在该衬底上形成一非晶硅薄膜，再在该非晶硅薄膜上方形成一掩模层，随即移除该第一区域内的该掩模层，再形成一热含覆盖层且覆盖于该掩模层及该非晶硅薄膜上，最后进行一准分子激光再结晶工艺，使该第一区域内的该非晶硅薄膜再结晶成一多晶硅薄膜。从而增加所形成多晶硅薄膜的晶粒尺寸，提高元件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 准分子激光 再结晶 工艺 制作 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法，该方法包含有下列步骤：提供一衬底，该衬底表面已定义有一第一区域以及一第二区域；在该衬底上形成一非晶硅薄膜；在该非晶硅薄膜上方形成一掩模层；进行一第一黄光和蚀刻工艺，移除该第一区域内的该掩模层；形成一热含覆盖层，并覆盖于该掩模层以及该非晶硅薄膜上；以及进行该准分子激光再结晶工艺，使该第一区域内的该非晶硅薄膜再结晶成该多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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