[发明专利]利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 03141252.1 | 申请日： | 2003-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1553475A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 林昆志 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法。该方法先提供一表面定义有第一、第二及第三区域的衬底，接着于该衬底上形成一非晶硅薄膜，再移除部分的该非晶硅薄膜，以于该第三区域内形成一对准标记，随后于该非晶硅薄膜上形成一遮蔽层，并移除该第一区域内的该遮蔽层，以进行该准分子激光再结晶工艺，使得该第一区域内的该非晶硅薄膜再结晶成一多晶硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 准分子激光 再结晶 工艺 制作 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用一准分子激光再结晶工艺来制作一多晶硅薄膜的方法，该方法包含有下列步骤：提供一衬底，该衬底表面定义有一第一区域、一第二区域围绕于该第一区域，以及一第三区域；于该衬底上方形成一非晶硅薄膜；进行一第一光刻暨蚀刻工艺，移除该第三区域内的该非晶硅薄膜，并于该第三区域内形成一对准标记；于该非晶硅薄膜上形成一遮蔽层；进行一第二光刻暨蚀刻工艺，移除该非晶硅薄膜上方该第一区域内的该遮蔽层；以及进行该准分子激光再结晶工艺，使该第一区域内的该非晶硅薄膜再结晶成一多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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