[发明专利]微半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 03141318.8 | 申请日： | 2003-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1467797A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 小泉直幸;真篠直宽;栗原孝 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微半导体元件的制造方法，包括以下步骤：借助保护膜22将具有电路面和背面的半导体晶片10粘附到支撑板20，以使电路面面向保护膜；减小半导体晶片的厚度同时由支撑板支撑半导体晶片；将半导体晶片切割成各半导体元件10a，同时半导体晶片粘附到保护膜；以半导体元件的背面粘附到剥离膜的方式将半导体元件由保护膜移动到粘结剥离膜26；通过支撑环28支撑剥离膜的周边；以及当通过上推销30借助剥离膜上推半导体元件的背面时，通过吸嘴36拾取各半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微半导体元件的制造方法，包括以下步骤：借助保护膜将具有电路面和背面的半导体晶片粘附到支撑板，以使电路面面向保护膜；减小半导体晶片的厚度同时由支撑板支撑半导体晶片；将半导体晶片切割成各半导体元件，同时半导体晶片粘附到保护膜；以半导体元件的背面粘附到剥离膜的方式将半导体元件由保护膜移动到粘结剥离膜；通过支撑环支撑剥离膜的周边；以及当通过上推销借助剥离膜上推半导体元件的背面时，通过拾取装置拾取各半导体元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新光电气工业株式会社，未经新光电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03141318.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
