[发明专利]低介材料及其制备方法无效
| 申请号： | 03141324.2 | 申请日： | 2003-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1497613A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | J·F·柯纳;J·E·麦杜格尔;B·K·彼得森;S·J·韦格尔;T·A·戴斯;M·德文尼;C·E·拉姆柏格;K·乔恩德劳蒂斯;K·森达克 | 申请（专利权）人： | 西米克斯技术公司;气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | H01B3/00 | 分类号： | H01B3/00;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周慧敏;郭广迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 对于在用作集成电路的层间介电体时的改善性能，确定了低介材料和包含该材料的薄膜及其制备方法。这些材料特征在于具有约3.7或更小的介电常数(κ)；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。还公开了具有小于约1.95的介电常数和大于约26GPa的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)的低介材料。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低介材料，该材料具有：约3.7或更小的介电常数；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。
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