[发明专利]非破坏性读出铁电不挥发多态数据存储方式及其存储单元无效
申请号: | 03141498.2 | 申请日: | 2003-07-10 |
公开(公告)号: | CN1474456A | 公开(公告)日: | 2004-02-11 |
发明(设计)人: | 林殷茵;谢宇涵;汤庭鳌 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;G11C11/22;G11C14/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明为一种非破坏性铁电不挥发多态数据存储方式及其储存单元。它根据MFIS单管单元的铁电特性,利用铁电薄膜剩余极化强度处于饱和、非饱和的多种状态,在一个单元中存储多位数据,从而增加存储信息,并为发展大容量的铁电不挥发存储器提供了基础。 | ||
搜索关键词: | 破坏性 读出 铁电不 挥发 数据 存储 方式 及其 单元 | ||
【主权项】:
1、一种非破坏性铁电不挥发多态数据存储方式,其特征在于根据MFIS单管单元的铁电特性,利用铁电薄膜多条电滞回线的剩余极化强度处于饱和、非饱和的多种状态,来表征一个码元,该一个码元所取的状态数大于2,从而能够转换为多位二进制码,实现在一个单元中存储多位数据的功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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