[发明专利]铝酸镁尖晶石晶体的生长方法无效
| 申请号： | 03141526.1 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1477241A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 周圣明;徐军;司继良;彭观良;蒋成勇;周国清;杨卫桥;赵广军;杭寅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铝酸镁尖晶石晶体的生长方法，其特征是在温梯炉中采用垂直温梯法生长MgAl2O4晶体，工艺流程包括：在温梯炉坩埚的籽晶槽内放入定向籽晶；按(1+x)∶1配比将高纯MgCO3和Al2O3粉料在混料机中机械混合；用压料机压块成形，直接装入坩埚中，加上坩埚盖将坩埚密封，置于温梯炉中；边抽真空边升温至600℃，充入高纯氩气；持续升温至熔体温度2130℃左右，恒温1～3小时，以5－10℃/小时速率降温，直至晶体生长完毕，缓慢降温至室温后，打开炉罩，取出晶体。本发明避免了炉内氧化气氛对发热体和保温材料的氧化污染，又克服了熔体组分因为还原性气氛而挥发的问题，可以生长大尺寸(≥φ3英寸)MgAl2O4晶体基片，晶体质量明显提高，可以满足GaN－InN基蓝光半导体器件制造的市场需求。 | ||
| 搜索关键词： | 铝酸镁 尖晶石 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种铝酸镁尖晶石晶体的生长方法，其特征是在温梯炉中采用垂直温梯法生长MgAl2O4晶体，工艺流程如下：<1>在温梯炉坩埚(1)的籽晶槽(15)内放入定向籽晶；<2>按(1+x)∶1配比将高纯MgCO3和Al2O3粉料在混料机中机械混合；<3>用压料机压块成形，直接装入坩埚(1)中，加上坩埚盖(11)将坩埚密封，置于温梯炉中；<4>边抽真空边升温至600℃，充入高纯氩气；<5>持续升温至熔体温度2130℃左右，恒温1～3小时，以5-10℃/小时速率降温，直至晶体生长完毕，缓慢降温至室温后，打开炉罩，取出晶体。
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