[发明专利]大量制备β－SiC纳米晶须的方法无效
| 申请号： | 03141669.1 | 申请日： | 2003-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1487127A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;吴艳军;覃文;徐东 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟 |
| 地址： | 20003*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种大量制备β－SiC纳米晶须的方法，属于纳米技术领域。本发明以二氧化硅粉和硅粉为主要原料，配料后，经高频感应加热发生硅热还原反应生成SiO，然后以碳纤维作为碳源，直接生成大量β－SiC纳米晶须。与现有技术相比，本发明具有方法简单，成本低廉，可以大规模制备出高质量β－SiC纳米晶须的特点。适合进行工业化生产，为国内外进一步开发利用β－SiC纳米晶须提供了一种良好的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 大量 制备 sic 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种大量制备β-SiC纳米晶须的方法，其特征在于，以二氧化硅粉和硅粉为主要原料，配料后，经高频感应加热发生硅热还原反应生成SiO，然后以碳纤维作为碳源，直接生成大量β-SiC纳米晶须。
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