[发明专利]常温下微波等离子体和激光联合处理材料表面的方法无效

专利信息
申请号: 03141802.3 申请日: 2003-07-24
公开(公告)号: CN1473952A 公开(公告)日: 2004-02-11
发明(设计)人: 吴嘉达;孙剑;凌浩 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: C23C8/36 分类号: C23C8/36
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 姚静芳;王福新
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明是一种常温下用微波等离子体和激光束联合对材料表面实施改性处理的方法。现有技术尚未见该类报道。本项发明的方法是:对特定的工作气体进行电子回旋共振微波放电产生微波等离子体,将等离子体引入材料处理室,同时将激光束引入材料处理室,微波等离子体和激光束同时作用于材料表面进行等离子体和激光联合处理,使表层材料的成分、组织或结构发生变化,达到改变或改善材料表面性能的目的。本发明适用范围广,参数调整方便,等离子体和激光束的种类和参数可以单独调整,还可以对材料表面的特定区域进行微区处理。
搜索关键词: 常温 微波 等离子体 激光 联合 处理 材料 表面 方法
【主权项】:
1.一种常温下微波等离子体和激光联合处理材料表面的方法,其特征是将电子回旋共振微波等离子体和激光束同时引入材料处理室,共同作用于材料表面对材料表面进行联合处理;具体步骤是:被处理材料固定在材料处理室中样品架上,把材料处理室和微波放电腔抽至真空,通过配气系统向微波放电腔充入工作气体,在电子回旋共振条件下对工作气体进行微波放电产生微波等离子体;将等离子体引入材料处理室,同时将激光束也引入材料处理室,等离子体和激光束共同作用于被处理材料的表面,待处理材料上加有偏置电压,在等离子体和激光束共同作用区域实施微波等离子体和激光联合处理;具体条件是:材料处理室和微波放电腔的本底真空10-5~1×10-4Pa,工作气压9×10-3~1×10-1Pa;微波的频率为2.45GHz,功率为100~1000W;激光器的,功率密度为10~4×108W/cm2;衬底偏置电压-10~-1000V;处理时间20秒至10分钟。
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