[发明专利]一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法有效
| 申请号： | 03141886.4 | 申请日： | 2003-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1514472A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 董业民;程新利;陈猛;王曦;张峰 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 201821*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种厚膜图形化SOI材料的制备方法，先采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，其特征在于然后利用CVD气相外延方法在衬底表层外延形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种，或在锗硅薄膜上继续外延单晶硅形成应变硅的结构。具体工艺步骤包括4步：(1)在硅衬底上光刻阻挡离子注入的掩模；(2)离子注入；(3)高温退火；(4)CVD外延生长单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。外延层厚度通过沉积速率调节，其厚度为0.7～50μm。本发明所制备的厚膜图形化SOI材料为MEMS和MOEMS集成提供了衬底材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 绝缘体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种厚膜图形化SOI材料的制备方法，先采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，其特征在于然后利用CVD气相外延生长方法在衬底的表层形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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