[发明专利]近化学计量比铌酸锂单晶的生长方法无效
| 申请号： | 03142109.1 | 申请日： | 2003-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1485469A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 徐军;王海丽;周圣明;张连翰;杭寅;周国清;赵广军;司继良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种近化学计量比铌酸锂单晶的生长方法，其特征在于该方法的实质是采用坩埚下降法生长大尺寸近化学计量比铌酸锂单晶；原料配方中使用碳酸锂(Li2CO3)和碳酸钾(K2CO3)和氧化铌(Nb2O5)为原料，按照[Li2CO3]/[Nb2O5]=(48～58)∶(42～52)的比例配料，加入4.3～20.6wt％的K2CO3，压制成块，直接装入坩埚中，坩埚密封，降低铌酸锂的熔点，提高原料中[Li]/[Nb]比例；从熔体底部结晶，固液界面自下而上移动生长晶体。利用本发明可以生长出高质量大尺寸近化学计量比铌酸锂单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 计量 铌酸锂单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种近化学计量比铌酸锂单晶的生长方法，其特征在于该方法的实质是采用坩埚下降法生长大尺寸近化学计量比铌酸锂单晶；通过添加K2O助熔剂，降低铌酸锂的熔点，提高原料中[Li]/[Nb]比例；从熔体底部结晶，固液界面自下而上移动生长晶体。
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