[发明专利]电子元器件电镀前处理防止电性能降低方法无效
申请号: | 03142287.X | 申请日: | 2003-08-13 |
公开(公告)号: | CN1487123A | 公开(公告)日: | 2004-04-07 |
发明(设计)人: | 王家邦 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C25D5/34 | 分类号: | C25D5/34;B23K1/20 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种电子元器件电镀前处理防止电性能降低方法。先把电子元器件放在密封容器中抽真空保持一定时间,引入疏水、疏油或双疏溶剂浸没电子元器件抽真空2~5小时,清洗,在室温、大气下晾干。本发明在电镀前将具有疏水、疏油或双疏功能的溶剂引入电子元器件的缝隙和孔洞内,在电镀过程中利用溶剂的疏水、疏油或双疏作用防止电镀液中的介质水溶液和有机组分进入电子元器件内部,从而防止电子元器件电性能下降。本发明可在电容器、电感、滤波器、模块、电阻、片式磁性元件等各种功能器件进行电极电镀提高耐焊接热和可焊性时应用,能有效降低电镀对电子元器件电性能的影响。 | ||
搜索关键词: | 电子元器件 电镀 处理 防止 性能 降低 方法 | ||
【主权项】:
1.电子元器件电镀前处理防止电性能降低方法,其特征在于:在盛有电子元器件的真空容器中引入疏水、疏油或双疏溶剂,然后继续抽真空30~300分钟,清洗,在室温、大气条件下晾干,所用的溶剂有硅油、硅氧烷、全氟代乙烷、含氟有机硅氧烷化合物及其混合物。
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