[发明专利]通过氟化硼化合物掺杂而制造具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 03142347.7 | 申请日： | 2003-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1484288A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 孙容宣 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造具有表面沟道结构的半导体器件的方法，该方法不用超低能量离子植入通过氧化硼化合物离子植入而提供SSR表面沟道掺杂；以及一种具有表面沟道结构的半导体器件的方法。用于形成半导体器件表面沟道的方法包括下列步骤：通过植入含硼的氟化硼化合物离子，在半导体衬底的表面下形成沟道掺杂层；进行退火工艺以去除在上述离子植入期间该沟道掺杂层内所注入的氟离子；进行表面处理工艺以去除在沟道掺杂层表面上所形成的本地氧化层，同时去除在该沟道掺杂层内所余留的氟离子；及利用选择性外延生长法，在该沟道掺杂层上生长外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 氟化 化合物 掺杂 制造 具有 超浅超陡 反向 表面 沟道 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的表面沟道的方法，包含下列步骤：a)通过植入含硼的氟化硼化合物离子，在半导体衬底的表面下形成沟道掺杂层；b)进行退火工艺以去除在上述离子植入期间该沟道掺杂层内所注入的氟离子；c)进行表面处理工艺以去除在沟道掺杂层表面上所形成的本地氧化层，同时去除在该沟道掺杂层内所余留的氟离子；及d)利用选择性外延生长法，在该沟道掺杂层上生长外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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