[发明专利]具有存储功能的单电子晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 03142350.7 | 申请日： | 2003-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1519952A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡洙杜;金桢雨;金柱亨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有存储功能的单电子晶体管及其制造方法。在该单电子晶体管中，顺序叠置第一衬底和绝缘膜。第二衬底设置在绝缘膜上，并包括源极区、沟道区和漏极区。隧穿膜位于在第二衬底上。至少两个俘获层以间隔位于隧穿膜上，在该间隔中可在沟道区中形成至少一个量子点。栅极电极接触俘获层和该俘获层之间的隧穿膜。由于该单电子晶体管简单，且包括单个栅极电极，所以其制造工艺和其工作电路可简化，且可降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储 功能 电子 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有存储功能的单电子晶体管，包括：顺序叠置的第一衬底和绝缘膜；叠置在该绝缘膜上并包括源极区、沟道区和漏极区的第二衬底；形成在第二衬底上的隧穿膜；以一间隔形成在该隧穿膜上的至少两个俘获层，在该间隔中可在沟道区中形成至少一个量子点；以及接触该些俘获层和该至少两个俘获层之间的该隧穿膜的栅极电极。
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