[发明专利]静电放电保护元件无效
| 申请号： | 03142360.4 | 申请日： | 2003-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1471166A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 东贤一;阿尔贝托·O·阿丹 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种要用于具有MOSFET的半导体集成电路的静电放电保护元件，包括闸流晶体管和用于将闸流晶体管触发到导通状态的触发二极管，其中，触发二极管设有n型阴极高浓度掺杂区、p型阳极高浓度掺杂区、以及在两个高浓度掺杂区之间形成的栅极，由与形成半导体集成电路的MOSFET的栅极的材料相同的材料构成所述栅极，而且闸流晶体管具有形成阴极的p型高浓度掺杂区和形成阳极的n型高浓度掺杂区，以及在p型阱中设有p型高浓度掺杂区，并与电阻相连，和/或在n型阱中设有n型高浓度掺杂区，并与电阻相连。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 元件 | ||
【主权项】：
1、一种要被用在具有MOSFET的半导体集成电路中的静电放电保护元件，包括闸流晶体管和用于将闸流晶体管触发到导通状态的触发二极管，其中，触发二极管设有n型阴极高浓度掺杂区、p型阳极高浓度掺杂区和在两个高浓度掺杂区之间形成的栅极，由与形成半导体集成电路的MOSFET的栅极的材料相同的材料构成所述栅极，以及闸流晶体管设有在p型阱中提供并与电阻相连的形成阴极的p型高浓度掺杂区，以及形成阳极的n型高浓度掺杂区。
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